[实用新型]流体控制系统

说明书

本实用新型涉及流体控制系统。在一方面中，公开了一种用于半导体生产设备的流体控制系统。所述半导体生产设备包括炉本体，所述炉本体包括适于在其中生成半导体层的反应腔室和适于在其中容纳旋转传动部件的旋转腔室，所述流体控制系统包括适于将工艺流体供应至所述反应腔室以生成所述半导体层的第一流体管路部分。所述流体控制系统还包括适于将保护流体供应至所述旋转腔室以保护所述旋转传动部件的第二流体管路部分。根据本实用新型，能够使旋转轴不容易腐蚀，延长了旋转轴的使用寿命，节约了设备维护成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，具体涉及一种应用于外延炉设备的例如气路控制系统的流体控制系统。

背景技术

外延硅片(Epitaxy)是集成电路第一道工序，其规格参数主要有：膜厚、电阻率和表面缺陷。而表面缺陷其中之一的“颗粒”，在行业内都是最大的难题。

一般地，外延炉主体结构(炉本体)由旋转腔体(金属组件)和反应腔室等组成。外延硅片的生产在工艺过程中会用到HCL、TCS等腐蚀性气体。由此，由于旋转腔体在工艺步骤中没有保护气体，HCL、TCS等腐蚀性气体会进入到旋转腔组件，从而使例如旋转轴被腐蚀，进而形成颗粒。然后，在工艺的氮气吹扫步骤中颗粒会扩散到硅片表面，导致硅片报废；而旋转轴也因为腐蚀而导致使用周期变短，增加维护成本。

这里，应当指出的是，本部分中所提供的技术内容旨在有助于本领域技术人员对本实用新型的理解，而不一定构成现有技术。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的之一在于提供一种流体控制系统，在该流体控制系统中，在根据相关技术的或原有的流体控制回路的基础上进行改造，以实现在工艺步骤时旋转腔体中具有保护气体，从而阻止HCL、TCS等腐蚀性气体进入到旋转组件。

本实用新型的另一目的在于提供一种流体控制系统，在该流体控制系统中，能够使旋转轴不容易被腐蚀，进而不容易形成颗粒。

本实用新型的另一目的在于提供一种流体控制系统，在该流体控制系统中，使得产品良率得到提升，设备零部件寿命延长。

为达到上述目的中的一个或多个，一方面，本实用新型提供一种用于半导体生产设备的流体控制系统。所述半导体生产设备包括炉本体，所述炉本体包括适于在其中生成半导体层的反应腔室和适于在其中容纳旋转传动部件的旋转腔室，所述流体控制系统包括适于将工艺流体供应至所述反应腔室以生成所述半导体层的第一流体管路部分。所述流体控制系统还包括适于将保护流体供应至所述旋转腔室以保护所述旋转传动部件的第二流体管路部分。

优选地，在上述流体控制系统中，所述第二流体管路部分包括从所述第一流体管路部分的对应流体管路引出的保护流体管路。

优选地，在上述流体控制系统中，所述保护流体管路包括适于控制所引出的保护流体的压力的控制阀和/或适于调节所引出的保护流体的流量的调节阀。

优选地，在上述流体控制系统中，所述控制阀为减压阀，所述调节阀为针阀。

优选地，在上述流体控制系统中，所述保护流体管路包括适于控制所引出的保护流体供应至所述旋转腔室的保护流体通断阀。

优选地，在上述流体控制系统中，所述第一流体管路部X`分包括适于控制所述工艺流体供应至所述反应腔室的工艺流体通断阀，以及，所述保护流体通断阀与所述工艺流体通断阀是联动的。

优选地，在上述流体控制系统中：所述保护流体通断阀和所述工艺流体通断阀为气动阀，以及，所述第二流体管路部分还包括从所述第一流体管路部分的用于所述工艺流体通断阀的致动气路引出的另一致动气路，所述另一致动气路将致动气体供应至所述保护流体通断阀，使得所述保护流体通断阀随着所述工艺流体通断阀的打开而打开并且随着所述工艺流体通断阀的关闭而关闭。