[实用新型]流体控制系统有效
| 申请号： | 201721921214.8 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207750743U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 彭日宇;何传奇 | 申请（专利权）人： | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | F17D1/04 | 分类号： | F17D1/04;F17D3/01 |
| 代理公司： | 北京博讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11593 | 代理人： | 柳兴坤 |
| 地址： | 610404 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流体控制系统 半导体生产设备 旋转传动部件 本实用新型 半导体层 反应腔室 旋转腔室 炉本体 旋转轴 设备维护成本 第二流体 第一流体 工艺流体 流体供应 使用寿命 容纳 腐蚀 节约 | ||
1.一种用于半导体生产设备的流体控制系统，所述半导体生产设备包括炉本体，所述炉本体包括适于在其中生成半导体层的反应腔室和适于在其中容纳旋转传动部件的旋转腔室，所述流体控制系统包括适于将工艺流体供应至所述反应腔室以生成所述半导体层的第一流体管路部分，其特征在于，所述流体控制系统还包括适于将保护流体供应至所述旋转腔室以保护所述旋转传动部件的第二流体管路部分。
2.根据权利要求1所述的流体控制系统，其特征在于，所述第二流体管路部分包括从所述第一流体管路部分的对应流体管路引出的保护流体管路。
3.根据权利要求2所述的流体控制系统，其特征在于，所述保护流体管路包括适于控制所引出的保护流体的压力的控制阀和/或适于调节所引出的保护流体的流量的调节阀。
4.根据权利要求3所述的流体控制系统，其特征在于，所述控制阀为减压阀，所述调节阀为针阀。
5.根据权利要求2所述的流体控制系统，其特征在于，所述保护流体管路包括适于控制所引出的保护流体供应至所述旋转腔室的保护流体通断阀。
6.根据权利要求5所述的流体控制系统，其特征在于，所述第一流体管路部分包括适于控制所述工艺流体供应至所述反应腔室的工艺流体通断阀，以及，所述保护流体通断阀与所述工艺流体通断阀是联动的。
7.根据权利要求6所述的流体控制系统，其特征在于：
所述保护流体通断阀和所述工艺流体通断阀为气动阀，以及
所述第二流体管路部分还包括从所述第一流体管路部分的用于所述工艺流体通断阀的致动气路引出的另一致动气路，所述另一致动气路将致动气体供应至所述保护流体通断阀，使得所述保护流体通断阀随着所述工艺流体通断阀的打开而打开并且随着所述工艺流体通断阀的关闭而关闭。
8.根据权利要求2所述的流体控制系统，其特征在于：
所述保护流体管路包括从上游至下游顺序地设置的适于控制所引出的保护流体的压力的控制阀、适于调节所引出的保护流体的流量的调节阀、以及适于控制所引出的保护流体供应至所述旋转腔室的保护流体通断阀，以及
所述旋转腔室为多个旋转腔室，所述保护流体管路在所述调节阀的下游处分支出适于将保护流体分别供应至多个所述旋转腔室的多个分支管路，在所述多个分支管路中包括有相应的所述保护流体通断阀。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的流体控制系统，其特征在于，所述炉本体包括一对所述反应腔室和一对所述旋转腔室，以及，所述第二流体管路部分包括适于将保护流体分别供应至一对所述旋转腔室的一对分支管路。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的流体控制系统，其特征在于，所述工艺流体包括HCL、TCS和/或氢，所述保护流体包括氢。
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