[实用新型]一种纵向结构双向低电容瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201721916990.9 | 申请日： | 2017-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN207624697U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;余晓明 | 申请（专利权）人： | 深圳傲威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种纵向结构双向低电容瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体上具有I/O端口，I/O端口到芯片本体背面有两条支路，两条支路用深槽隔离开，其中一条支路由P+、N‑epi、BN、P‑sub组成，BN与P‑sub形成TVS管，P+与N‑Epi形成普通二极管；另一条支路由P‑sub、N‑epi、N+、P+形成，其中N+/P+形成TVS管，P‑sub、N‑epi形成普通二极管；利用一颗芯片实现双向静电保护，在封装时只需选择一颗芯片进行一次正面打线操作，封装简单，可降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片本体 瞬态电压抑制器 二极管 支路 两条支路 纵向结构 低电容 封装 本实用新型 静电保护 深槽隔离 芯片实现 打线 背面 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种纵向结构双向低电容瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体上具有I/O端口，其特征在于：I/O端口到芯片本体背面有两条支路，两条支路用深槽隔离开，其中一条支路由P+、N‑epi、BN、P‑sub组成，BN与P‑sub形成TVS管，P+与N‑Epi形成普通二极管；另一条支路由P‑sub、N‑epi、N+、P+形成，其中N+/P+形成TVS管，P‑sub、N‑epi形成普通二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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