[实用新型]基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片

摘要

本实用新型提供一种基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，包括：SOI硅片，具有衬底硅、埋氧层以及顶层硅；图形化堆叠结构，包含交叉网状结构，其下方具有释放槽，图形化堆叠结构悬挂于释放槽中；盖基片，键合于顶层硅，盖基片具有微沟槽，图形化堆叠结构位于微沟槽内；微色谱柱的微沟道，形成于衬底硅中，微沟道内具有微柱阵列，微沟道与释放槽连通；底基片，键合于衬底硅，以形成包含微沟槽、释放槽及微沟道的微通道。本实用新型的微热导检测器和微色谱柱分别位于SOI硅片的顶层硅和衬底硅上，增加了设计的灵活性和工艺制作的可控性。本实用新型无需额外的连接部件，具有死体积低、灵敏度高等优点。

主权项

1.一种基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：包括：SOI硅片，具有衬底硅、埋氧层以及顶层硅；包含顶层硅‑第一介质薄膜‑热敏电阻‑第二介质薄膜形成的图形化堆叠结构，所述图形化堆叠结构包含交叉网状结构，所述图形化堆叠结构下方具有所述衬底硅及所述埋氧层被图形化形成的释放槽，所述图形化堆叠结构悬挂于所述释放槽中；盖基片，键合于所述顶层硅，所述盖基片具有微沟槽，所述图形化堆叠结构位于所述微沟槽内；微色谱柱的微沟道，形成于所述衬底硅中，所述微沟道内具有微柱阵列，所述微沟道与所述释放槽连通；以及底基片，键合于所述SOI硅片的衬底硅，以形成包含所述微沟槽、所述释放槽及所述微沟道的微通道。