[实用新型]一种刻蚀装置有效
申请号: | 201721651674.3 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN207503933U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 周文权 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种刻蚀装置,其中,包括:旋转刻蚀机台,包括一腔体,腔体用于固定晶圆;温度发生装置,设置于旋转刻蚀机台的腔体的上方;其中,温度发生装置在正对腔体的平面上具有一固定板;固定板朝向腔体的一面布设有多个温度发生单元,温度发生单元在固定板上的分布密度由内侧向外侧逐渐增加;上述技术方案能够对刻蚀流程的刻蚀均匀度进行优化,从而提高最终的产品良率。 1 | ||
搜索关键词: | 固定板 腔体 发生单元 发生装置 刻蚀机台 刻蚀装置 半导体技术领域 本实用新型 产品良率 刻蚀流程 逐渐增加 朝向腔 均匀度 晶圆 刻蚀 面布 正对 优化 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀装置,其特征在于,包括:
旋转刻蚀机台,包括一腔体,所述腔体用于固定晶圆;
温度发生装置,设置于所述旋转刻蚀机台的所述腔体的上方;
其中,所述温度发生装置在正对所述腔体的平面上具有一固定板;所述固定板朝向所述腔体的一面布设有多个温度发生单元,所述温度发生单元在所述固定板上的分布密度由内侧向外侧逐渐增加。
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述温度发生装置在所述腔体的边缘处产生的温度提升为2~4℃。3.根据权利要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,所述温度提升为3℃。4.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述固定板在所述平面内呈圆形。5.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置还包括用于输送刻蚀液的管道,所述管道的输出口朝向所述腔体的中心;所述固定板的中心具有一窗口,用于通过所述管道。
6.根据权利要求5所述的刻蚀装置,其特征在于,所述温度发生单元为发光元件。7.根据权利要求6所述的刻蚀装置,其特征在于,所述发光元件为LED灯珠。8.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述温度发生装置上具有用于控制光强的调节器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造