[实用新型]一种刻蚀装置有效
申请号: | 201721651674.3 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN207503933U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 周文权 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固定板 腔体 发生单元 发生装置 刻蚀机台 刻蚀装置 半导体技术领域 本实用新型 产品良率 刻蚀流程 逐渐增加 朝向腔 均匀度 晶圆 刻蚀 面布 正对 优化 | ||
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种刻蚀装置,其中,包括:旋转刻蚀机台,包括一腔体,腔体用于固定晶圆;温度发生装置,设置于旋转刻蚀机台的腔体的上方;其中,温度发生装置在正对腔体的平面上具有一固定板;固定板朝向腔体的一面布设有多个温度发生单元,温度发生单元在固定板上的分布密度由内侧向外侧逐渐增加;上述技术方案能够对刻蚀流程的刻蚀均匀度进行优化,从而提高最终的产品良率。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种刻蚀装置。
背景技术
在旋转刻蚀机台刻蚀的流程中,由于需要晶圆处于高速旋转状态,使得化学液在晶圆中心附近的旋转离心力最小而在晶圆边缘的旋转离心力最大,因而造成化学液在晶圆边沿停留时间短,晶圆边沿刻蚀率低,同时旋转刻蚀机台往往采用化学液喷酸管路从晶圆中心上方进行喷酸,管路无法到达晶圆的边沿(最大移动距离为晶圆半径的90%以防止化学液流到晶圆背面或卡盘上),使得最终的晶圆产品刻蚀不均匀。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提出了一种刻蚀装置,其中,包括:
旋转刻蚀机台,包括一腔体,所述腔体用于固定晶圆;
温度发生装置,设置于所述旋转刻蚀机台的所述腔体的上方;
其中,所述温度发生装置在正对所述腔体的平面上具有一固定板;所述固定板朝向所述腔体的一面布设有多个温度发生单元,所述温度发生单元在所述固定板上的分布密度由内侧向外侧逐渐增加。
上述的刻蚀装置,其中,所述温度发生装置在所述腔体的边缘处产生的温度提升为2~4℃。
上述的刻蚀装置,其中,所述温度提升为3℃。
上述的刻蚀装置,其中,所述固定板在所述平面内呈圆形。
上述的刻蚀装置,其中,所述刻蚀装置还包括用于输送刻蚀液的管道,所述管道的输出口朝向所述腔体的中心;
所述固定板的中心具有一窗口,用于通过所述管道。
上述的刻蚀装置,其中,所述温度发生单元为发光元件。
上述的刻蚀装置,其中,所述发光元件为LED灯珠。
上述的刻蚀装置,其中,所述温度发生装置上具有用于控制光强的调节器。
有益效果:本实用新型提出的一种旋转刻蚀机台能够对晶圆的边缘进行温度补偿,以对刻蚀流程的刻蚀均匀度进行优化,从而提高最终的产品良率。
附图说明
图1为本实用新型一实施例中刻蚀装置的结构示意图;
图2为本实用新型一实施例中刻蚀装置的固定板的形状示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行进一步说明。
在一个较佳的实施例中,如图1所示,提出了一种刻蚀装置,其中,可以包括:
旋转刻蚀机台10,包括一腔体(附图中未标注),腔体用于固定晶圆20;
温度发生装置30,设置于旋转刻蚀机台10的腔体的上方;
其中,温度发生装置30在正对腔体的平面上具有一固定板;该固定板朝向所述腔体的一面布设有多个温度发生单元,温度发生单元在固定板上的分布密度由内侧向外侧逐渐增加。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造