[实用新型]发光二极管

摘要

本实用新型提供一种具高带隙超晶格结构的发光二极管，依次包括：N型导通层，超晶格层，发光层、P型电子阻挡层,P型导通层，其特征在于：所述超晶格层位于所述N型导通层和发光层之间，其由周期结构堆叠而成，其中至少一个周期结构包含第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第一子层的能隙Eg1、第二子层的能隙Eg2和第三子层的能隙Eg3的关系为Eg1

主权项

1.发光二极管，依次包括： N型导通层、超晶格层、发光层、P型电子阻挡层和P型导通层，其特征在于：所述超晶格层位于所述N型导通层和发光层之间，其由三个以上的周期结构堆叠而成，其中至少三个周期结构包含第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第一子层的能隙Eg1、第二子层的能隙Eg2和第三子层的能隙Eg3的关系为Eg1

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安光电有限公司，未经厦门三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721617458.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。