[实用新型]一种具有高反射电极的LED芯片有效
| 申请号： | 201721510127.3 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN207398164U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有高反射电极的LED芯片，包括衬底，设于所述衬底上的第一半导体层，设于所述第一半导体层上的有源层和第一电极，设于所述有源层上的第二半导体层，设于所述第二半导体层上的第二电极，所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层，所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。本实用新型使用Al层作为底层，不仅减少了一层Cr层，简化工艺，降低成本。此外，Al层的反射率较Cr层高，从而提高了芯片的出光效率。进一步地，由于Cr的导电性能优于Al，因此在所述Al层上先形成一层Ti层，然后形成一层Cr层，从而提高了电极的导电性能，减低芯片的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射 电极 led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种具有高反射电极的LED芯片，包括：衬底；设于所述衬底上的第一半导体层；设于所述第一半导体层上的有源层和第一电极；设于所述有源层上的第二半导体层；设于所述第二半导体层上的第二电极；所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层，所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。
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