[实用新型]电容器阵列及半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种电容器阵列及半导体器件。在电容器阵列中，由于电极组图层中的贯通口与下电极的筒状结构的筒内部和筒外部均连通，并且贯通口的直线边界在高度方向上的投影穿越至少一个下电极的顶部端口，因此即使贯通口在其直线边界的延伸方向上存在有位移偏差，也仍然不会影响下电极的顶部端口对应在贯通口中的面积尺寸，确保能够在下电极的内外表面均可形成有完整的电容介质层和上电极。并且，由于贯通口的开口尺寸较大，从而在通过贯通口执行刻蚀工艺和成膜工艺时，也有利于提高相应的刻蚀速率和成膜速率。 1

主权项

1.一种电容器阵列，其特征在于，包括：

一衬底，具有一形成有电容器的器件区；

多个下电极，设置在所述衬底的所述器件区上，且所述下电极的形状包括筒状结构；

一电极组图层，部分遮盖在多个所述下电极的所述筒状结构的顶部端口上，并且在所述电极组图层中开设有多个贯通口，每一所述贯通口和对应连接的多个所述下电极构成一电极组，每一所述下电极的所述顶部端口和对应的所述贯通口在高度方向上的投影部分重叠，以使所述下电极的所述筒状结构的筒内部和筒外部均与所述贯通口相互连通，其中，所述贯通口具有直线边界，所述直线边界在高度方向上的投影沿着所述直线边界的延伸方向穿越至少一个所述下电极的所述顶部端口的一部份；

一电容介质层，覆盖在所述下电极的内外表面上；以及，

一上电极，形成在所述电容介质层的表面上，由所述上电极、所述电容介质层和所述下电极构成多个阵列排列的电容器。

2.如权利要求1所述的电容器阵列，其特征在于，所述电容器阵列中等距相邻同一所述电容器的六个电容器呈现六角阵列排布。

3.如权利要求2所述的电容器阵列，其特征在于，所述贯通口在平行于所述衬底表面的方向上的开口形状包括梯形，所述贯通口的所述梯形中具有一第一直线边界和一与所述第一直线边界平行的第二直线边界，所述贯通口的所述梯形中的所述第一直线边界在高度方向上的投影穿越至少一个所述下电极的所述顶部端口。

4.如权利要求3所述的电容器阵列，其特征在于，所述贯通口的所述梯形中的所述第二直线边界在高度方向上的投影穿越至少两个所述下电极的所述顶部端口。

5.如权利要求1所述的电容器阵列，其特征在于，还包括：

一第一支撑层，形成在所述下电极的第一侧壁位置上，并且所述第一支撑层连接所述下电极的多个所述筒状结构；以及，

一第二支撑层，形成在所述下电极的第二侧壁位置上，并且所述第二支撑层连接所述下电极的多个所述筒状结构，所述第二支撑层有间隔地位于所述第一支撑层的上方，使所述第二支撑层和所述第一支撑层分别布置在不同的高度位置上。

6.如权利要求5所述的电容器阵列，其特征在于，还包括：

多个支撑柱，形成在所述衬底上的所述器件区中并围绕在所述电容器阵列的外围，所述第一支撑层和所述第二支撑层均延伸连接所述支撑柱，以利用所述支撑柱、所述第一支撑层和所述第二支撑层构成一支撑架，用于支撑所述电容器。

7.如权利要求6所述的电容器阵列，其特征在于，所述电极组图层中不对应所述贯通口的部分连接多个所述下电极的所述顶部端口，并延伸覆盖所述支撑柱的顶部。

8.如权利要求7所述的电容器阵列，其特征在于，所述支撑柱为中空的筒状结构，所述电极组图层完全遮盖所述支撑柱的所述筒状结构的顶部端口，所述支撑柱的内部为中空且不填充所述电容介质层和所述上电极。

9.如权利要求6所述的电容器阵列，其特征在于，所述衬底上还具有一位于所述器件区外围的外围区，所述器件区的边界线沿着所述支撑柱靠近所述外围区一侧的轮廓定义在所述支撑柱的外围，以使多个所述支撑柱均被囊括在所述边界线中。

10.如权利要求9所述的电容器阵列，其特征在于，所述边界线与所述支撑柱之间的距离为相邻的两个所述下电极之间的距离的0.5倍～1.0倍。

11.如权利要求1至10中任一项所述的电容器阵列，其特征在于，所述下电极的所述顶部端口和对应的所述贯通口在高度方向上的投影部分重叠，以使所述下电极的所述筒状结构部分对应在所述贯通口中，其中，对应在所述贯通口中的筒侧壁的高度低于不对应在所述通口中的筒侧壁的高度。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1所述的电容器阵列。