[实用新型]显示基板和显示面板有效
申请号: | 201721398359.4 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN207503983U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种显示基板和显示面板,该显示基板包括:衬底基板,衬底基板上形成有薄膜晶体管和发光器件;薄膜晶体管包括:有源层、源极和漏极,有源层与源极、漏极之间形成有层间绝缘层,层间绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔,发光器件位于第一过孔内,漏极通过第二过孔与发光器件的阳极连接。与现有技术相比,本实用新型的技术方案通过改变薄膜晶体管与发光元件之间的相对位置,将发光元件设置于位于层间绝缘层中的第一过孔内,以使得发光元件和薄膜晶体管基本处于衬底基板上的同一高度位置,从而避免了发光元件发出的光照射至薄膜晶体管中的有源层上,进而保证了薄膜晶体管工作稳定性。 1 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 发光元件 层间绝缘层 衬底基板 发光器件 显示基板 漏极 源层 本实用新型 显示面板 源极 工作稳定性 高度位置 阳极连接 光照射 保证 | ||
【主权项】:
1.一种显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,所述衬底基板上形成有薄膜晶体管和发光器件;
所述薄膜晶体管包括:有源层、源极和漏极,所述有源层与所述源极、漏极之间形成有层间绝缘层,所述层间绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔,所述发光器件位于所述第一过孔内,所述漏极通过所述第二过孔与所述发光器件的阳极连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件包括:在远离所述衬底基板方向上依次形成的所述阳极、发光层和阴极;所述阳极背向所述衬底基板的一侧形成有缓冲层,所述缓冲层上对应所述第一过孔的位置形成有第三过孔,对应所述第二过孔的位置形成有第四过孔;
所述发光层位于所述第三过孔内;
所述薄膜晶体管位于所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧,所述漏极通过所述第二过孔、第四过孔与所述阳极连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,还包括:与所述阳极同层设置的吸光图形,所述有源层在所述吸光图形所处平面上的正投影完全落入所述吸光图形上。4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述吸光图形与所述阳极连接。5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述阳极和所述吸光图形的材料为氧化铟锡。6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间形成有遮光图形,所述薄膜晶体管在所述遮光图形所处平面的正投影完全落入所述遮光图形上。7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述遮光图形的材料为黑色树脂材料。8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件发出的光为白光,所述发光器件与所述衬底基板之间形成有彩色滤光图形。9.一种显示面板,其特征在于,包括:如上述权利要求1‑8中任一所述的显示基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的