[实用新型]一种半导体激光bar条有效
| 申请号： | 201721223023.4 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN207183793U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 关永莉;米洪龙;梁健;李小兵;王琳;董海亮 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/022 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 041600 山西省临汾*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体激光bar条，包括GaAs外延片；P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀有脊型电流注入区和非注入区，且部分P‑GaAs限制层未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖住；GaAs外延片上刻蚀有光隔离区；形成有电流限制层，其中，电流限制层被刻蚀掉一部分以露出脊型电流注入区；电流限制层和脊型电流注入区上方形成有P面金属电极层，P面金属电极层上设置有电隔离区；GaAs衬底远离N‑GaAs限制层的一面形成有N面金属电极层。本方案，可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 bar | ||
【主权项】：
一种半导体激光bar条，其特征在于，包括：GaAs外延片，其中，所述GaAs外延片从上往下依次为：P‑GaAs欧姆接触层、P‑GaAs限制层、P‑GaAs波导层、量子阱、N‑GaAs波导层、N‑GaAs限制层和GaAs衬底；所述P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀有脊型电流注入区和非注入区，且部分所述P‑GaAs限制层未被所述P‑GaAs欧姆接触层覆盖住；所述GaAs外延片上刻蚀有光隔离区，所述光隔离区为从所述P‑GaAs限制层未被所述P‑GaAs欧姆接触层覆盖住的部分开始刻蚀，直到将所述P‑GaAs限制层、P‑GaAs波导层、量子阱、N‑GaAs波导层刻穿所对应的被刻蚀掉的区域；在所述P‑GaAs欧姆接触层以及未被所述P‑GaAs欧姆接触层覆盖住的部分所述P‑GaAs限制层上方形成有电流限制层，其中，所述电流限制层被刻蚀掉一部分以露出所述脊型电流注入区；所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成有P面金属电极层，所述P面金属电极层上设置有电隔离区；所述GaAs衬底远离所述N‑GaAs限制层的一面形成有N面金属电极层。
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