[实用新型]晶圆切割保护膜结构与使用其之切割晶圆有效
| 申请号： | 201721133212.2 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN207883672U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郑宪徽;伍德;颜铭佑 | 申请（专利权）人： | 武汉市三选科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/373;H01L23/552;B32B27/06;B32B37/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种保护膜结构，特别系一种晶圆切割保护膜结构，该保护膜结构其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层；其中，该热传导组成物层及人工石墨片层，可提供良好的导热性、EMI遮蔽性及弯折性，有效提升半导体装置之均热性及散热性。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜结构 人工石墨 组成物层 热传导 片层 切割 导热性 半导体装置 本实用新型 晶圆切割 离形层 散热性 弯折性 黏着层 晶圆 热性 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆切割保护膜结构，其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层；所述热传导组成物层由热传导聚合组成物经涂布并熟化获得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
