[实用新型]晶圆切割保护膜结构与使用其之切割晶圆有效

专利信息
申请号: 201721133212.2 申请日: 2017-09-06
公开(公告)号: CN207883672U 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 郑宪徽;伍德;颜铭佑 申请(专利权)人: 武汉市三选科技有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L23/373;H01L23/552;B32B27/06;B32B37/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430074 湖北省武汉市东湖新技术开*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 保护膜结构 人工石墨 组成物层 热传导 片层 切割 导热性 半导体装置 本实用新型 晶圆切割 离形层 散热性 弯折性 黏着层 晶圆 热性 种晶
【权利要求书】:

1.一种晶圆切割保护膜结构,其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层;所述热传导组成物层由热传导聚合组成物经涂布并熟化获得。

2.如请求项1所述之晶圆切割保护膜结构,其中该人工石墨片层之厚度为7~40μm。

3.如请求项2所述之晶圆切割保护膜结构,其中该人工石墨片层具有均匀分布的穿孔,该穿孔之孔径大小为300~2500μm,孔间距为500~4500μm。

4.如请求项1所述之晶圆切割保护膜结构,其中该热传导组成物层之厚度为5~40μm。

5.如请求项1所述之晶圆切割保护膜结构,其中该压感黏着层之厚度为5~60μm。

6.一种切割晶圆,其系将如请求项1之晶圆切割保护膜结构的一离形膜移除后,附着至一晶圆,形成依序为一切割层、一压感黏着层、一人工石墨片层、一热传导组成物层及该晶圆之结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉市三选科技有限公司,未经武汉市三选科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721133212.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top