[实用新型]晶圆切割保护膜结构与使用其之切割晶圆

说明书

本实用新型涉及一种保护膜结构，特别系一种晶圆切割保护膜结构，该保护膜结构其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层；其中，该热传导组成物层及人工石墨片层，可提供良好的导热性、EMI遮蔽性及弯折性，有效提升半导体装置之均热性及散热性。

技术领域

本创作系关于一种保护膜结构，特别系一种晶圆切割保护膜结构。

背景技术

半导体晶圆封装后，可使用于各种电子产品中，而由于电子产品（如智能型手机或平板点脑等）日趋轻薄化的需求，如何能使半导体装置能更加轻薄一直都是产业的开发目标。此外，电子产品如何能有效地散热，维持使用时的效能亦为重要的开发，3C产品常常会有过热造成机体当机，影响使用的情况。

半导体制程发展至今，在切晶及黏晶工序时，一般会先将晶圆黏附在黏晶切割胶膜上进行切割，当晶圆切割成晶粒要配置在电路板时，该黏晶切割胶膜之黏着剂层可移转到晶粒上，使晶粒被拾取后能直接附着固定在电路板上完成黏晶。即，黏晶切割胶膜不同于早期晶圆黏结薄膜贴合制程工序，晶粒必须另使用黏着剂附着至电路板后，经热固化才可黏着，即可免除晶粒在黏结薄膜贴合制程工序时，会有溢胶、晶粒倾斜及热处理对晶圆的伤害之问题。

发明内容

本创作者发现黏晶切割胶膜常用的黏着剂层多为单层结构，其主要为包含丙烯酸聚合物、含有不饱和烃基之环氧树脂及热硬化剂的组成物，并视需要添加二氧化硅等填料，然而，此种组成物在黏晶后往往使半导体装置热传导性低，散热性不佳之情况，造成使用效能不佳，进而影响到使用的电子产品。

是以，为提升半导体装置之散热性及使用效能，本创作欲提供一种多层结构之黏晶切割胶膜，其包含人工石墨层及热传导组成物层，可提供良好的导热性、EMI遮蔽性及弯折性，有效提升半导体装置之均热性及散热性，以提升使用之电子产品的效能。

即，本创作提供一种晶圆切割保护膜结构，其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层。

进一步地，该人工石墨片层之厚度为7~40μm。

进一步地，该人工石墨片层具有均匀分布的穿孔，该穿孔之孔径大小为300~2500μm，孔间距为500~4500μm。

进一步地，该热传导组成物层包含环氧树脂50~60wt%、填料30~50wt及固化剂1~10wt%。

进一步地，该环氧树脂系选自由双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、双酚S环氧树脂、二羟基联苯环氧树脂、酚醛环氧树脂、邻甲酚醛环氧树脂及其组合所组成之群组。

进一步地，该填料系择自由Al₂O₃、BN、AlN、石墨及其组合所组成之群组。

本创作另提供一种切割晶圆，其系将上述之晶圆切割保护膜结构的一离形膜移除后，附着至一晶圆，形成依序为一切割层、一压感黏着层、一人工石墨片层、一热传导组成物层及该晶圆之结构。

附图说明

图1为本创作之晶圆切割保护膜结构。

图2为本创作之晶圆切割保护膜结构之制造方法。

图3A-图3B为本创作之具有人工石墨片层之压感黏着层。

图4为本创作之切割晶圆。

具体实施方式

有关本创作之详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下。再者，本创作中之图式，为说明方便，其比例未必照实际比例绘制，该等图式及其比例并非用以限制本创作之范围，在此先行叙明。