[实用新型]一种用于MOS管的限流电路及MOS开关装置有效

专利信息
申请号: 201721126076.4 申请日: 2017-09-04
公开(公告)号: CN207150553U 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 许守东;陈勇;李胜男;马红升;何鑫 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082;H03K17/687
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 逯长明,许伟群
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 本申请实公开了一种用于MOS管的限流电路及MOS开关装置,该电路主要包括第一PNP型三极管、第二NPN型三极管、静态压降单元和电流采样电阻。其中,第一PNP型三极管的射极连接MOS开关管的驱动信号源输出端、基极连接第二NPN型三极管的集电极、集电极接地;第二NPN型三极管的基极连接静态压降单元的一端、射极接地;静态压降单元另一端与电流采样电阻中连接MOS开关管源极的一端连接,电流采样电阻的另一端接地;MOS开关管的漏极连接负载、栅极连接驱动信号源输出端。当电流采样电阻上产生的压降和静态压降单元的电压之和大于第二NPN型三极管的开启电压时,第二NPN型三极管导通,进而第一PNP型三极管导通,限制MOS开关管的G极驱动电压,以达到限流的目的。
搜索关键词: 一种 用于 mos 限流 电路 开关 装置
【主权项】:
一种用于MOS管的限流电路,包括直流电压源、与所述直流电压源连接的负载、以及与所述负载连接的MOS开关管,其特征在于,所述电路还包括第一PNP型三极管、第二NPN型三极管、静态压降单元和电流采样电阻,其中:所述第一PNP型三极管的射极连接所述MOS开关管的驱动信号源输出端、基极连接所述第二NPN型三极管的集电极、集电极接地;所述第二NPN型三极管的基极连接所述静态压降单元的一端、射极接地;所述静态压降单元另一端与所述电流采样电阻中连接所述MOS开关管源极的一端连接,所述电流采样电阻的另一端接地;所述MOS开关管的漏极连接所述负载、栅极连接所述驱动信号源输出端。
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