[实用新型]一种用于MOS管的限流电路及MOS开关装置

说明书

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种用于MOS管的限流电路及MOS开关装置。

背景技术

众所周知，MOS管的优势是电压驱动类型半导体，其开通、关断消耗电流微乎其微，而且导通内阻Rds(on)相当低，很多都在10毫欧以下，有些已经做到1毫欧姆以下，所以选择MOS管进行开关控制是很好的方案。

随着半导体行业的逐渐发展进步，很多功率MOS管的额定工作电流可以达到100安培，可是目前还没有厂家能够做到单个MOS管可以达到额定工作电流200A。但在实际应用中经常会出现200A，甚至500A的大电流的情况，这样，单个MOS管远远不能满足如此大的电流要求。为此，通常采用多颗MOS管并联起来应用，这样很大的电流由多颗MOS管来分担，单颗MOS管承担的电流就比较小了，确保了器件安全稳定地工作。

但是，多管并联的低压大电流MOS管，常常因为MOS管的跨导一致性等原因造成均流效果不理想，致使某个MOS管的电流异常增大，这样就需要对每一个MOS管做限流保护。现有的限流保护电路通常采用保险管，热金属保险管以及PPTC自恢复保险，但是，这几种反应速度比较慢，而且有的不能自恢复，难以真正起到保护电路和器件的作用。

实用新型内容

本申请提供了一种用于MOS管的限流电路及MOS开关装置，以对MOS开关管做限流保护，使其电流在预设的限值以下，提高开关电路的安全性和稳定性。

根据本实用新型实例的第一方面，提供了一种用于MOS管的限流电路，除包括直流电压源、与所述直流电压源连接的负载、以及与所述负载连接的MOS开关管外，还包括第一PNP型三极管、第二NPN型三极管、静态压降单元和电流采样电阻，其中：

所述第一PNP型三极管的射极连接所述MOS开关管的驱动信号源输出端、基极连接所述第二NPN型三极管的集电极、集电极接地；

所述第二NPN型三极管的基极连接所述静态压降单元的一端、射极接地；

所述静态压降单元另一端与所述电流采样电阻中连接所述MOS开关管源极的一端连接，所述电流采样电阻的另一端接地；

所述MOS开关管的漏极连接所述负载、栅极连接所述驱动信号源输出端。

优选地，所述静态压降单元包括第三NPN型三极管、第一分压电阻和第二分压电阻，其中：

所述第三NPN型三极管的集电极分别连接所述直流电压源和所述第一分压电阻的一端、基极分别连接所述第一分压电阻的另一端和所述第二分压电阻的一端；

所述第二分压电阻的另一端连接所述电流采样电阻中连接所述MOS开关管源极的一端。

优选地，所述静态压降单元还包括第三分压电阻和第四分压电阻，其中：

所述第三分压电阻的一端连接所述第三NPN型三极管的集电极、另一端连接所述第二NPN型三极管的基极；

所述第四分压电阻的一端连接所述第二NPN型三极管的基极、另一端接地。

优选地，所述第三NPN型三极管和所述第二NPN型三极管为同样型号的三极管。

优选地，所述电路还包括第一电阻、第二电阻、第四NPN型三极管、第三电阻、稳压二极管和第四电阻，其中：

所述第一电阻的一端连接所述直流电压源、另一端分别连接所述第四NPN型三极管的集电极和所述第二电阻的一端；

所述NPN型三极管的射极连接所述第四电阻的一端、基极分别连接所述第二电阻的另一端和所述第三电阻的一端，所述第四电阻的另一端连接所述静态压降单元一端；

所述第三电阻的另一端连接所述稳压二极管的负极，所述稳压二极管的正极接地。

优选地，所述电路还包括稳压电容，所述稳压电容的一端连接所述第一PNP型三极管的射极、另一端连接所述第一PNP型三极管的基极。

优选地，所述电路还包括第五电阻和第六电阻，其中：

所述第五电阻的一端连接所述第一PNP型三极管的基极、另一端连接所述第二NPN型三极管的集电极；

所述第六电阻的一端连接所述驱动信号源输出端、另一端连接所述第二NPN型三极管的集电极。

根据本实用新型实例的第二方面，还提供了一种MOS开关装置，包括本实用新型实例第一方面所述的限流电路。