[实用新型]一种提高晶圆受热均匀性的均热装置有效
| 申请号： | 201721109216.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN207116381U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘芳军 | 申请（专利权）人： | 扬州思普尔科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 南京常青藤知识产权代理有限公司32286 | 代理人： | 黄胡生 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种提高晶圆受热均匀性的均热装置，具体涉及半导体制造领域，包括第一灯管组、第二灯管组、设置在所述第一灯管组和所述第二灯管组之间的晶圆和若干第一支架，所述第一支架穿过所述第二灯管组，所述晶圆放置在所述第一支架上，所述第一灯管组与所述晶圆之间的距离和所述第二灯管组与所述晶圆之间的距离相等，所述晶圆的外围还设有间隔一定距离的均热环，所述均热环放置在若干第二支架上，所述第二支架也穿过所述第二灯管组，所述均热环与所述晶圆在同一水平面上。本实用新型具有结构简单，使用方便，可达到点状温场调整的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 受热 均匀 均热 装置 | ||
【主权项】：
一种提高晶圆受热均匀性的均热装置，包括第一灯管组、第二灯管组、设置在所述第一灯管组和所述第二灯管组之间的晶圆和若干第一支架，所述第一支架穿过所述第二灯管组，所述晶圆放置在所述第一支架上，所述第一灯管组与所述晶圆之间的距离和所述第二灯管组与所述晶圆之间的距离相等，其特征在于，所述晶圆的外围还设有间隔一定距离的均热环，所述均热环放置在若干第二支架上，所述第二支架也穿过所述第二灯管组，所述均热环与所述晶圆在同一水平面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
