[实用新型]一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构有效
| 申请号： | 201720986916.8 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN207303107U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 徐吉程;范玮;袁力鹏 | 申请（专利权）人： | 西安华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，包括至少一个沟槽型耐压环，每个沟槽型耐压环包括场限环和与所述场限环横向连接的第一栅氧化层、与所述第一栅氧化层横向连接的多晶硅、与所述多晶硅横向连接的第二栅氧化层、与所述第二栅氧化层横向连接的P型主结，所述第一栅氧化层和第二栅氧化层位于所述多晶硅的两侧；所述场限环包括由内到外依次设置的第一场限环和第二场限环。本实用新型能够优化表面电场和体内电场，避免各技术单独使用时的缺点，提高结终端的耐压效率和降低终端使用尺寸及反向漏电流，同时不会大幅增加设计难度和制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 沟槽 耐压 结构 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，其特征在于，包括至少一个沟槽型耐压环，每个沟槽型耐压环包括场限环和与所述场限环横向连接的第一栅氧化层、与所述第一栅氧化层横向连接的多晶硅、与所述多晶硅横向连接的第二栅氧化层、与所述第二栅氧化层横向连接的P型主结，所述第一栅氧化层和第二栅氧化层位于所述多晶硅的两侧；所述场限环包括由内到外依次设置的第一场限环和第二场限环。
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