[实用新型]一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构有效
| 申请号： | 201720986916.8 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN207303107U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 徐吉程;范玮;袁力鹏 | 申请（专利权）人： | 西安华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 沟槽 耐压 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，其特征在于，包括至少一个沟槽型耐压环，每个沟槽型耐压环包括场限环和与所述场限环横向连接的第一栅氧化层、与所述第一栅氧化层横向连接的多晶硅、与所述多晶硅横向连接的第二栅氧化层、与所述第二栅氧化层横向连接的P型主结，所述第一栅氧化层和第二栅氧化层位于所述多晶硅的两侧；所述场限环包括由内到外依次设置的第一场限环和第二场限环。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，其特征在于：所述至少一个沟槽型耐压环中相邻的沟槽型耐压环之间设置有间隔宽度。
3.根据权利要求1或2所述的一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，其特征在于：所述第一场限环和第二场限环的掺杂类型、浓度和结深相同。
4.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，其特征在于：所述第一场限环和第二场限环与所述P型主结的掺杂类型相同，但浓度高于所述P型主结的掺杂浓度且结深也大于所述P型主结。
5.根据权利要求4所述的一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，其特征在于：所述第一栅氧化层与P型主结掺杂的类型、浓度和结深相同。
6.根据权利要求5所述的一种功率半导体器件沟槽型耐压环结构，其特征在于，所述多晶硅与第一场限环和第二场限环以及P型主结的类型相反。
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