[实用新型]通用型老化板有效
申请号: | 201720904122.2 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN206976299U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 周锋;贾美琳;姜红苓;郑宝玉 | 申请(专利权)人: | 江苏新广联半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214192 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供通用型老化板,包括双层板的PCB基板,上层设有二十个呈圆形的上层焊盘和十二个上层金手指,下层设有四个下层焊盘和十二个下层金手指,每个上层正焊盘和下层正焊盘均设在内侧,均通过中心导电盘分别与其中两个上层金手指、其中两个下层金手指电连接,上层负焊盘设在外侧,其中十个上层负焊盘引出端与其余十个上层金手指电连接,其余十个上层负焊盘引出端通过引出孔与其余十个下层金手指电连接,每个第一、第二下层负焊盘的引出端与八个下层金手指电连接;本实用新型的老化板通过更改基板的电路布局,使在不改变电源和接线方式的前提下,同时适用4路、10路和20路的芯片,节省物料成本,且操作快捷方便。 | ||
搜索关键词: | 通用型 老化 | ||
【主权项】:
通用型老化板,包括PCB基板,其特征在于,所述PCB基板为双层板,分为上层和下层,所述上层设有二十个均匀分布呈圆形的上层焊盘(1)和十二个一字排开的上层金手指(2),每个上层焊盘(1)均设有上层正焊盘(11)和上层负焊盘(12),所述上层正焊盘(11)设在内侧,均通过中心导电盘与其中两个上层金手指(2)电连接,所述上层负焊盘(12)设在外侧,其中十个上层负焊盘(12)引出端与其余十个上层金手指(2)电连接,其余十个上层负焊盘(12)引出端设有引出孔;所述下层设有四个均匀对称分布的下层焊盘(3)和十二个一字排开的下层金手指(4),每个下层焊盘(3)均设有下层正焊盘(31)和下层负焊盘(32),所述下层正焊盘(31)设在内侧,均通过中心导电盘与其中两个下层金手指(4)电连接,所述下层负焊盘(32)设在外侧,且每个下层负焊盘(32)分为第一下层负焊盘(321)和第二下层负焊盘(322),所述第一下层负焊盘(321)和第二下层负焊盘(322)的引出端均与其余八个下层金手指(4)电连接,剩余两个下层金手指(4)通过引出孔与上层负焊盘(12)电连接,且第一下层负焊盘(321)和第二下层负焊盘(322)的引出端还通过引出孔与上层负焊盘(12)电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏新广联半导体有限公司,未经江苏新广联半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720904122.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体测试样品芯片封装参数装置
- 下一篇:一种硅片清洗周转盘
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造