[实用新型]一种晶圆传送装置以及高能离子注入机有效
申请号: | 201720757421.8 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN207068827U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 彭侃;黄建勋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01J37/317 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种晶圆传送装置以及高能离子注入机,其中,晶圆传送装置包括真空放置盒,真空放置盒内设置有多个晶圆放置结构;每个晶圆放置结构包括一对承托部,用以承托放置的晶圆凸出的真空吸附盘,设置于一对承托部上,用以吸附晶圆;气体驱动装置,用以驱动真空放置盒自一初始位置水平移动至晶圆卸载口;气体流量控制阀,气体流量控制阀的进气端与一进气管连接,用以控制输入气体驱动装置中的气体流量;气体流量计,用以显示进入气体驱动装置中的进气量。其技术方案的有益效果在于,避免真空放置盒内的晶圆与承托部之间发生碰撞,造成晶圆出现损伤的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 传送 装置 以及 高能 离子 注入 | ||
【主权项】:
一种晶圆传送装置,应用于高能离子注入机中,所述高能离子注入机包括一反应腔体,以及与所述反应腔体连接的一晶圆卸载口,通过一晶圆传送装置将晶圆自所述晶圆卸载口传送至所述反应腔体内,其特征在于,所述晶圆传送装置包括:真空放置盒,所述真空放置盒内设置有多个晶圆放置结构;每个所述晶圆放置结构包括:一对承托部,用以承托放置的所述晶圆;凸出的真空吸附盘,设置于所述一对承托部上,用以吸附所述晶圆;气体驱动装置,与所述真空放置盒连接,用以驱动所述真空放置盒自一初始位置水平移动至所述晶圆卸载口;气体流量控制阀,所述气体流量控制阀的进气端与一进气管连接,出气端与所述气体驱动装置连接,用以控制输入所述气体驱动装置中的气体流量;气体流量计,连接于所述气体流量控制阀与所述气体驱动装置之间,用以显示进入所述气体驱动装置中的进气量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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