[实用新型]一种硅基氮化镓功率器件有效
| 申请号： | 201720735791.1 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN207068868U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 王静辉;杨私私;李晓波;袁凤坡;白欣娇 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)13115 | 代理人： | 张建茹 |
| 地址： | 050200 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅基氮化镓功率器件，属于氮化镓功率器件技术领域，包括衬底、缓冲层以及外延层，衬底为曲率280‑290km‑1的硅，能够解决硅衬底和氮化镓之间大的失配带来的晶片翘曲问题，缓冲层为50nm厚度的复合缓冲层，其包括至少一个复合层，复合层由AlN层以及GaN层由下到上堆叠组成，缓冲层能够有效减小外延过程中的应力，降低外延裂纹的产生，缓冲层上刻蚀有下凹图形，外延层为200nm厚度的GaN外延层，其上端设置有300nm厚度的AlGaN外延层，该结构对硅基氮化镓材料晶格失配问题的缓解和热失配问题的克服具有积极效果，能够大幅度提高硅基底上制备的氮化镓外延材料的性能和良品率，为硅基氮化镓器件的制备提供技术支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种硅基氮化镓功率器件，包括由下到上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)以及外延层，其特征在于：所述的衬底(1)为曲率280‑290km‑1的硅，缓冲层(2)为40‑60nm厚度的复合缓冲层，复合缓冲层包括至少一个复合层，复合层由AlN层和GaN层由下到上堆叠组成，缓冲层(2)上端面刻饰有下凹图形(4)，下凹图形(4)的深度小于缓冲层(2)厚度，外延层包括180‑220nm厚度的GaN外延层(3)及其上端的280‑320nm厚度的AlGaN外延层(5)。
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