[实用新型]一种GaN器件原位生长石墨烯掩埋电极结构有效
| 申请号： | 201720702915.6 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN207068797U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;李百泉;倪炜江;张敬伟;牛喜平;李明山;卢小东 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L23/373;H01L29/45;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN器件原位生长石墨烯掩埋电极结构，所述电极结构包括衬底和依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层和器件外延构造层；其中，所述衬底和所述AlN成核层之间从下至上还依次生成有AlN隔离层、金属催化层和石墨烯掩埋散热层；所述石墨烯掩埋散热层与源极通过金属连接，与背板和热沉通过金属连接，此外，本实用新型还公开了该电极结构的制备方法。本实用新型的新型器件结构避免了背面深孔刻蚀的复杂工艺，可以实现正面直接源接地，同时利用石墨烯优越的热导率迅速将器件有源区产生的热量导走，可以有助于实现大功率GaN器件，增长器件的高温可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 原位 生长 石墨 掩埋 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN器件原位生长石墨烯掩埋电极结构，其特征在于，所述电极结构包括衬底和依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层和器件外延构造层；其中，所述衬底和所述AlN成核层之间从下至上还依次生成有AlN隔离层、金属催化层和石墨烯掩埋散热层；所述石墨烯掩埋散热层与源极通过金属连接，与背板和热沉通过金属连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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