[实用新型]一种DMOS截止环有效
| 申请号： | 201720648610.1 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN207233742U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司50219 | 代理人： | 高姜 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种DMOS截止环。本实用新型的一种DMOS截止环，包括外延层、P‑Well层、氧化层、金属层以及接触层；P‑Well层设置于外延层上，氧化层设置于外延和P‑Well层上，与外延层以及P‑Well层相接触；金属层设置于氧化层上，接触层设置于P‑Well层上；DMOS截止环包括管芯区和划片道区，接触层位于划片道区，氧化层和金属层位于管芯区；利用划片道区域，不占用DMOS器件芯片面积，通过在DMOS器件芯片的划片道处设计制作截止环，降低了芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dmos 截止 | ||
【主权项】：
一种DMOS截止环，其特征在于，包括：外延层(4)、P‑Well层(3)、氧化层(5)、金属层(1)以及接触层(2)；所述P‑Well层(3)设置于所述外延层(4)上，所述氧化层(5)设置于所述外延层(4)和所述P‑Well层(3)上，与所述外延层(4)以及所述P‑Well层(3)相接触；所述金属层(1)设置于所述氧化层(5)上，所述接触层(2)设置于所述P‑Well层(3)上；所述DMOS截止环包括管芯区(10)和划片道区(20)，所述接触层(2)位于所述划片道区(20)，所述氧化层(5)和所述金属层(1)位于所述管芯区(10)。
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