[实用新型]一种DMOS截止环有效
| 申请号： | 201720648610.1 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN207233742U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司50219 | 代理人： | 高姜 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dmos 截止 | ||
【权利要求书】：
1.一种DMOS截止环，其特征在于，包括：
外延层(4)、P-Well层(3)、氧化层(5)、金属层(1)以及接触层(2)；
所述P-Well层(3)设置于所述外延层(4)上，所述氧化层(5)设置于所述外延层(4)和所述P-Well层(3)上，与所述外延层(4)以及所述P-Well层(3)相接触；所述金属层(1)设置于所述氧化层(5)上，所述接触层(2)设置于所述P-Well层(3)上；所述DMOS截止环包括管芯区(10)和划片道区(20)，所述接触层(2)位于所述划片道区(20)，所述氧化层(5)和所述金属层(1)位于所述管芯区(10)。
2.根据权利要求1所述的一种DMOS截止环，其特征在于，所述金属层(1)上表面高度高于所述接触层(2)上表面高度。
3.根据权利要求1所述的一种DMOS截止环，其特征在于，所述外延层(4)和所述P-Well层(3)的上表面在同一平面内。
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