[实用新型]一种DMOS截止环

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种DMOS截止环。

背景技术

DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)，是一种功率器件，被广泛用于电源、整流器、适配器、照明等领域。

DMOS晶圆生产时，会包含两个部分，一是管芯部分，即整个DMOS器件；二是为了分割每一个管芯所需要的划片道部分，划片道会放置一些生产过程中的监控及对准等图形，对管芯不起作用。DMOS管芯为了提高耐压，都会采用分压环的设计，包括在器件管芯最外围的截止环。

请参阅图1和图2，为一种现有的DMOS截止环，包括现有外延层400、现有P-Well层300、现有氧化层500、现有金属层100以及现有接触层200。DMOS截止环包括管芯区10和划片道区20，现有外延层400、现有P-Well层300、现有氧化层500、现有金属层100以及现有接触层200均位于管芯区10。截止环的作用一方面是对器件进行接地，防止电荷累积损伤器件；另一方面是保护DMOS器件分压环，吸收外界从器件侧面进入的带电离子。截止环的设计关系到器件的可靠性，是功率器件DMOS不可缺少的设计部分。传统的截止环设计是在器件的最边缘设计预留一部分区域，通过注入工艺注入P(或N)型杂质来保护器件，这样的做法会占用器件的面积。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种DMOS截止环，以解决现有技术成本高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种DMOS截止环，包括：

外延层、P-Well层、氧化层、金属层以及接触层；

所述P-Well层设置于所述外延层上，所述氧化层设置于所述外延层和所述P-Well层上，与所述外延层以及所述P-Well层相接触；所述金属层设置于所述氧化层上，所述接触层设置于所述P-Well层上；所述DMOS截止环包括管芯区和划片道区，所述接触层位于所述划片道区，所述氧化层和所述金属层位于所述管芯区。

所述金属层上表面高度高于所述接触层上表面高度。

所述外延层和所述P-Well层的上表面在同一平面内。

本实用新型所具有的优点与效果是：

本实用新型的一种DMOS截止环，包括：外延层、P-Well层、氧化层、金属层以及接触层；P-Well层设置于外延层上，氧化层设置于外延层和P-Well层上，与外延层以及P-Well层相接触；金属层设置于氧化层上，接触层设置于P-Well层上；DMOS截止环包括管芯区和划片道区，接触层位于划片道区，氧化层和金属层位于管芯区；利用划片道区域，不占用DMOS器件芯片面积，通过在DMOS器件芯片的划片道处设计制作截止环，降低了芯片成本。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步详述：

图1为现有的一种DMOS截止环的示意图。

图2为现有的一种DMOS截止环的剖视图。

图3本实用新型的一种DMOS截止环的示意图。

图4本实用新型的一种DMOS截止环的剖视图。

图中：金属层1、接触层2、P-Well层3、外延层4、氧化层5、管芯区10、划片道区20、现有外延层400、现有P-Well层300、现有氧化层500、现有金属层100、现有接触层200。

具体实施方式