[实用新型]一种NOR型浮栅存储器有效
| 申请号： | 201720520332.1 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN206976346U | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 冯骏 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供了一种NOR型浮栅存储器，包括衬底；形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅上方的层间绝缘层；形成在所述层间绝缘层的上方的控制栅；形成在所述控制栅的上方的字线；所述源漏极复用为位线。本实用新型实施例提供了一种NOR浮栅存储器，去除了传统结构中有源区到位线的接触孔，简化了器件结构，减小了每一个存储单元的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nor 型浮栅 存储器 | ||
【主权项】：
一种NOR型浮栅存储器，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅上方的层间绝缘层；形成在所述层间绝缘层的上方的控制栅；形成在所述控制栅的上方的字线；所述源极和所述漏极复用为位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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