[实用新型]一种CMOS图像传感器有效
申请号: | 201720508127.3 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN206789546U | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 王国建 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 | 代理人: | 陈兴强 |
地址: | 214100 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种CMOS图像传感器,包括图像传感芯片和基底,图像传感芯片的上表面具有感光区,图像传感芯片固定设置于基底的中部,基底表面的四周设有环形凸部,基底通过所述的环形凸部连接有光学玻璃;图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔,图像传感芯片下表面和盲孔的侧表面设有钝化层,所钝化层上远离图像传感芯片的一侧表面连接有金属导电图形层,金属导电图形层远离钝化层的一侧表面连接有一防焊层,防焊层上开有若干个通孔,金属导电图形层通过每一个通孔均连接有一焊球。本实用新型的图像传感器具有加工工艺简单,光学玻璃与基底连接的结构简单,并且光学玻璃能够防止灰尘进入芯片。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器,其特征在于,包括图像传感芯片(4)和基底(1),所述的图像传感芯片(4)的上表面具有感光区(5),所述的图像传感芯片(4)固定设置于所述的基底(1)的中部,所述的基底(1)表面的四周设有环形凸部(2),所述的基底(1)通过所述的环形凸部(2)连接有光学玻璃(3);所述的图像传感芯片(4)下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔,所述图像传感芯片(4)下表面和盲孔的侧表面设有钝化层(6),所述的钝化层(6)上远离图像传感芯片(4)的一侧表面连接有金属导电图形层(7),所述的金属导电图形层(7)远离钝化层(6)的一侧表面连接有一防焊层(8),所述的防焊层(8)上开有若干个通孔(9),所述的金属导电图形层(7)通过每一个通孔(9)均连接有一焊球(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的