[实用新型]一种CMOS图像传感器有效
申请号: | 201720508127.3 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN206789546U | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 王国建 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 | 代理人: | 陈兴强 |
地址: | 214100 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体来说,涉及一种CMOS图像传感器。
背景技术
图像传感器已被广泛地应用于诸如数字相机、 相机电话等的数字装置中。 图像传感器模块可包括用于将图像信息转换为电信息的图像传感器。具体地讲,图像传感器可包括能够将光子转换成电子以显示和存储图像的半导体器件。图像传感器的示例包括电荷耦合器件(CCD)、互补金属氧化硅(CMOS)图像传感器(CIS)等。
现有的图像传感器具有诸多的缺点,并且具有加工工艺复杂,成本高等问题,因此亟需改进。
实用新型内容
针对相关技术中的上述技术问题,本实用新型提出一种CMOS图像传感器,能够克服现有技术的上述不足。
为实现上述技术目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种CMOS图像传感器,包括图像传感芯片和基底,所述的图像传感芯片的上表面具有感光区,所述的图像传感芯片固定设置于所述的基底的中部,所述的基底表面的四周设有环形凸部,所述的基底通过所述的环形凸部连接有光学玻璃;所述的图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔,所述图像传感芯片下表面和盲孔的侧表面设有钝化层,所述的钝化层上远离图像传感芯片的一侧表面连接有金属导电图形层,所述的金属导电图形层远离钝化层的一侧表面连接有一防焊层,所述的防焊层上开有若干个通孔,所述的金属导电图形层通过每一个通孔均连接有一焊球。
进一步的,所述的光学玻璃下表面设有与所述的环形凸部配合的环形凹槽。
进一步的,所述的防焊层为油墨。
本实用新型的有益效果:本实用新型的图像传感器具有加工工艺简单,光学玻璃与基底连接的结构简单,并且光学玻璃能够防止灰尘进入芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本实用新型实施例所述的CMOS图像传感器的结构示意图;
图中:1、基底;2、环形凸部;3、光学玻璃;4、图像传感芯片;5、 感光区;6、钝化层;7、金属导电图形层;8、防焊层;9、通孔;10、焊球。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,根据本实用新型实施例所述的一种CMOS图像传感器,包括图像传感芯片4和基底1,所述的图像传感芯片4的上表面具有感光区5,所述的图像传感芯片4固定设置于所述的基底1的中部,所述的基底1表面的四周设有环形凸部2,所述的基底1通过所述的环形凸部2连接有光学玻璃3;所述的图像传感芯片4下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔,所述图像传感芯片4下表面和盲孔的侧表面设有钝化层6,所述的钝化层6上远离图像传感芯片4的一侧表面连接有金属导电图形层7,所述的金属导电图形层7远离钝化层6的一侧表面连接有一防焊层8,所述的防焊层8上开有若干个通孔9,所述的金属导电图形层7通过每一个通孔9均连接有一焊球10。
在一具体实施例中,所述的光学玻璃3下表面设有与所述的环形凸部2配合的环形凹槽。
在一具体实施例中,所述的防焊层8为油墨。
为了方便理解本实用新型的上述技术方案,以下通过具体使用方式上对本实用新型的上述技术方案进行详细说明。
本实用新型的图像传感器具有加工工艺简单,光学玻璃与基底连接的结构简单,并且光学玻璃能够防止灰尘进入芯片。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积高电子(无锡)有限公司,未经积高电子(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720508127.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:分立超薄整流器件
- 下一篇:一种氮化镓多胞功率管结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的