[实用新型]一种GaN基发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201720252826.6 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN206558531U | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王国斌;徐春阳;邢志刚;张伟 | 申请（专利权）人： | 中晟光电设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种GaN基发光二极管外延结构，涉及半导体发光器件技术领域，其中，所述GaN基发光二极管外延结构包括衬底；第一类型外延层，位于所述衬底上；电子隧道层，位于所述第一类型外延层上远离所述衬底的一侧，用于控制所述第一类型外延层提供的电子形成隧道效应；量子阱结构层，位于所述电子隧道层上远离所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，位于所述量子阱结构层上远离所述电子隧道层的一侧。采用上述技术方案，在第一类型外延层和量子阱结构层设置电子隧道层，保证第一类型外延层提供的电子发生隧道效应后进入量子阱结构层，增加电子和空穴在量子阱结构层内复合的发生几率，提高发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：衬底；第一类型外延层，位于所述衬底上；电子隧道层，位于所述第一类型外延层上远离所述衬底的一侧，用于控制所述第一类型外延层提供的电子形成隧道效应；量子阱结构层，位于所述电子隧道层上远离所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，位于所述量子阱结构层上远离所述电子隧道层的一侧。
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