[实用新型]一种阵列基板、显示面板以及电子设备有效
申请号: | 201720191055.4 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN206451710U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 刘婵;张磊 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 361100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板以及电子设备,阵列基板包括透明基板;设置在透明基板上的多个阵列排布的像素单元,像素单元包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及有源区;同一行像素单元中,相邻薄膜晶体管的有源区之间具有第一绝缘氧化结构,第一绝缘氧化结构由与有源区同层的半导体层氧化制成。本实用新型通过隔离氧化的方法图案化半导体层,形成薄膜晶体管的有源区,可以形成线宽更小的绝缘氧化结构图案化半导体层,且绝缘隔离效果更好,不会出现短路问题。而相对于传统工艺的通过刻蚀方式图案化半导体层,在像素单元密度较大时,相邻像素单元之间的薄膜晶体管容易发生短路问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种显示面板的阵列基板,其特征在于,包括:透明基板;设置在所述透明基板上的多个阵列排布的像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极、源极、漏极以及有源区;其中,同一行所述像素单元中,相邻所述薄膜晶体管的有源区之间具有第一绝缘氧化结构,所述第一绝缘氧化结构由与所述有源区同层的半导体层氧化制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的