[发明专利]一种封装用键合铜线的加工方法有效
申请号: | 201711488971.5 | 申请日: | 2017-12-30 |
公开(公告)号: | CN108231600B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 潘加明 | 申请(专利权)人: | 安徽晋源铜业有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;C22F1/08;C22C9/00;C22C1/02 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 段晓微;叶美琴 |
地址: | 239200 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种封装用键合铜线的加工方法,包括如下步骤:按重量百分含量将Cu、Li加入氮气保护下的熔炼炉中熔炼,加入La、Ce继续熔炼,再加入Ag、Sr、Sn继续熔炼,经定向凝固制得无氧铜杆;将无氧铜杆经冷却处理后加入拉伸机,粗拉拔、精拉拔和退火处理制得封装用键合铜线。本发明从铜线的抗氧化、耐腐蚀性能和导电性能出发,对铜线合金元素种类及含量进行合理设计,并结合适宜的加工工艺制得性能优异的封装用键合铜线。 | ||
搜索关键词: | 一种 封装 用键合 铜线 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装用键合铜线的加工方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、按重量百分含量将Cu98.86‑99.27wt%、Li0.02‑0.05wt%加入氮气保护下,温度为1200‑1215℃的熔炼炉中熔炼,再加入La0.1‑0.15wt%、Ce0.1‑0.15wt%熔炼,再加入Ag0.4‑0.6wt%、Sr0.1‑0.2wt%、Sn 0.01‑0.03wt%熔炼,经定向凝固制得无氧铜杆;S2、将S1无氧铜杆在零下45℃至零下30℃冷却处理;S3、将S2冷却处理的无氧铜杆加入拉伸机中,经粗拉拔和氮气保护下的退火处理,制得粗铜线;S4、将S3粗铜线加入拉伸机,经多次精拉拔和氮气保护下退火处理,制得封装用键合铜线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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