[发明专利]具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法在审
| 申请号： | 201711471836.X | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108055016A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋振声;刘青健;威廉·比华;李小菊;孔国文 | 申请（专利权）人： | 应达利电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 李倩竹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区福永街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，该方法包括：对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，在已溅射金属保护膜的小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，对激光去膜处理后的小型石英晶片进行晶片腐蚀处理，及对晶片腐蚀处理后的小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。由于该小型石英晶片的指定位置无金属保护膜，使得在晶片腐蚀处理的过程中，小型石英晶片的指定位置被腐蚀，而具有金属保护膜的位置不被腐蚀，晶片的具体形状易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 等效 串联 电阻 小型 石英 晶片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜；在已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理；对激光去膜处理后的所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理；对晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。
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