[发明专利]具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法

说明书

本发明公开了一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，该方法包括：对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，在已溅射金属保护膜的小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，对激光去膜处理后的小型石英晶片进行晶片腐蚀处理，及对晶片腐蚀处理后的小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。由于该小型石英晶片的指定位置无金属保护膜，使得在晶片腐蚀处理的过程中，小型石英晶片的指定位置被腐蚀，而具有金属保护膜的位置不被腐蚀，晶片的具体形状易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场的需求。

技术领域

本发明涉及石英晶体谐振器和振荡器所使用的低等效串联电阻(EquivalentSeries Resistance，ESR)小型晶片的制造技术领域，尤其涉及一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法。

背景技术

石英晶体谐振器由于其频率的准确性及稳定性的特点，在现代电子行业如通讯、电脑、娱乐设施及其他类型的产业，都是不可缺少的一部分。通常情况下，石英晶体谐振器的输出频率和所用的石英晶片的有效厚度成反比，频率越高，则晶片的厚度越薄，厚度和频率有如下关系：t＝1.65/F，其中，t表示石英晶片的厚度，单位为毫米，F表示频率，单位为兆赫兹。

由于各个应用领域的产品小型化，对石英晶体谐振器和振荡器的体积要求也越来越小，使得石英晶片的尺寸也越来越小。然而，石英晶片的尺寸变小，致使石英晶片的等效串联电阻变大，从而使能耗增大，降低石英晶体谐振器和振荡器的有效功效。因此，如何降低小型晶片的等效串联电阻是石英晶体谐振器和振荡器行业的一个技术关键，也使得在石英晶体谐振器和振荡器行业，努力制造具有低等效串联电阻的小型晶片成为了一种越来越大的趋势。

在石英晶体谐振理论中，从能陷理论中引申出来的一种实施方法就是使小型晶片中央部位的有效谐振面保持相对较厚而周边部位的无效谐振面保持相对较薄，这样就能将在晶片中央部位的有效谐振面上的能量尽量保持在中央部位而减少能量向周边部位的扩散，从而减少能量损耗，降低小型晶片的等效串联电阻，满足顾客需求。

在目前情况下，通常按照能陷理论而引申出来的实施方法是滚筒工艺。在这种技术中，按照一定比例将小型晶片和砂混合放入一个中间空的金属滚筒中，通过滚动金属筒来使小型晶片和砂一起在金属滚筒的内壁上摩擦。这样一来，理论上，可以从统计意义上来大量实现小型晶片的周边变薄，达到“能陷”的效果。然而，由于在通常的滚筒工艺过程中，非常难控制每个小晶片的具体运动状态，从而也难控制每个小晶片的形状。所以使用这类工艺所生产的小晶片，其在实施晶片能陷理论的设计要求时非常难控制，致使这类小型晶片的等效串联电阻很高，在应用中无法充分满足顾客的需求。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，可以解决现有技术中，滚筒工艺无法有效的控制晶片的具体运动状态，从而难以控制晶片的具体形状的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，所述方法包括：

对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜；

在已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理；

对激光去膜处理后的所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理；

对晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。