[发明专利]具有在栅极流道层之下的源极场板的晶体管有效
| 申请号： | 201711468898.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108269845B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | H·友松;H·山崎;S·彭德哈卡尔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及具有在栅极流道层之下的源极场板的晶体管。一种晶体管器件(100)包含从源极接触层(132)延伸并在栅极金属层(123)上方限定开口(133)的场板(133)。与源极接触层共面，场板靠近沟道区域(124)定位，这有助于降低它的寄生电容。同时，开口允许场板上方的栅极流道层(104)接近并连接到栅极金属层，这有助于减小栅极结构的电阻。通过竖直地重叠金属栅极层、场板和栅极流道层，晶体管器件可以实现快速开关性能而不会造成任何尺寸损失。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 流道层 之下 源极场板 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种器件，其包括：具有限定沟道区域的顶表面的半导体衬底；接触所述顶表面的源极接触层；在所述沟道区域上方的栅极层；源极场板，所述源极场板沿着所述沟道区域的第一维度并且在所述栅极层上方从所述源极接触层延伸；以及在所述源极场板上方的栅极流道层，所述栅极流道层接触所述栅极层并沿着所述沟道区域的偏离所述第一维度的第二维度延伸。
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