[发明专利]一种新型结构的碲化镉薄膜电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201711462864.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183141A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;文秋香 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/073;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新型结构的碲化镉薄膜电池及其制备方法，所述薄膜电池依次设置有衬底层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层，所述衬底层和所述窗口层之间还设置有阻挡层，所述阻挡层的材料为TiO2。该该电池中包含了TiO2阻挡层结构，利用能级差异间形成的能级势垒，与CdS窗口层形成多级跃迁结构，提高电池中载流子的传递效率，增加载流子的利用率，降低复合，达到效提升效率的目标。 | ||
| 搜索关键词： | 窗口层 阻挡层 电池 载流子 能级 碲化镉薄膜 衬底层 制备 薄膜电池 背电极层 背接触层 传递效率 光吸收层 依次设置 势垒 跃迁 复合 | ||
【主权项】：
1.一种新型结构的碲化镉薄膜电池，其特征在于，所述薄膜电池依次设置有衬底层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层，所述衬底层和所述窗口层之间还设置有阻挡层，所述阻挡层的材料为TiO2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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