[发明专利]一种铁钴基纳米晶合金及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711453759.5 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108231315A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 李长秋;张世明;杨东 申请(专利权)人: 青岛云路先进材料技术有限公司
主分类号: H01F1/153 分类号: H01F1/153;C22C38/02;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/14;C22C38/16;C22C38/20;C22C38/22;C22C38/24;C22C38/26;C22C38/28;C22C38/32;C22C38/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 266232 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种如式(Ⅰ)所示的铁钴基纳米晶合金;其中,0.3≤x≤0.45,70≤a≤78,1.5≤b≤4,12≤c≤18,4≤d≤8,0.5≤e≤2,0.3≤f≤1.2;M为Cr、V、Mo、Nb和Zr中的一种或多种。本申请还提供了所述铁钴基纳米晶合金的制备方法。本发明通过添加上述元素并控制其含量,使铁钴基纳米晶合金具有高矩形比、高磁导率、低损耗和低矫顽力的特点;本申请在制备铁钴基纳米晶合金的过程中采用两步退火工艺,进一步降低了矫顽力、提高了磁导率,最终获得了磁性能优良的铁钴基纳米晶合金;(Fe1‑xCox)aMbSicBdCeCuf(Ⅰ)。
搜索关键词: 纳米晶合金 铁钴 制备 矫顽力 高磁导率 退火工艺 磁导率 磁性能 低损耗 高矩形 申请
【主权项】:
1.一种如式(Ⅰ)所示的铁钴基纳米晶合金;(Fe1‑xCox)aMbSicBdCeCuf  (Ⅰ);其中,a、b、c、d、e、f和x分别表示对应组分的原子百分含量;0.3≤x≤0.45,70≤a≤78,1.5≤b≤4,12≤c≤18,4≤d≤8,0.5≤e≤2,0.3≤f≤1.2,a+b+c+d+e+f=100;M为Cr、V、Mo、Nb和Zr中的一种或多种。
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