[发明专利]一种基于相变材料的电光调制器在审
| 申请号： | 201711453218.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108279511A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 徐培鹏;于增辉;宋以鹏;吕业刚;张巍;吴越豪 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于相变材料的电光调制器，包括SOI基片，特点是SOI基片上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，所述的混合波导从下到上依次由硅波导层、相变材料GST层和铜电极层叠加而成，SOI基片包括一层厚度为250nm的硅衬底和一层厚度为2um的二氧化硅层，输入波导的厚度和输出波导的厚度均为250nm、宽度均为400nm，混合波导的厚度为290nm，宽度为400nm，硅波导层一侧通过选择性刻蚀形成厚度为10nm的硅薄膜，优点是具有尺寸小便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较高的调制深度以及较低的插入损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 混合波导 相变材料 电光调制器 硅波导层 输出波导 输入波导 层厚度 水平方向设置 二氧化硅层 选择性刻蚀 插入损耗 工作带宽 能量消耗 片上集成 硅薄膜 硅衬底 铜电极 调制 | ||
【主权项】：
1.一种基于相变材料的电光调制器，包括SOI基片，其特征在于：所述的SOI基片上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，所述的混合波导从下到上依次由硅波导层、相变材料GST层和铜电极层叠加而成。
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