[发明专利]一种基于相变材料的电光调制器在审
| 申请号： | 201711453218.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108279511A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 徐培鹏;于增辉;宋以鹏;吕业刚;张巍;吴越豪 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 混合波导 相变材料 电光调制器 硅波导层 输出波导 输入波导 层厚度 水平方向设置 二氧化硅层 选择性刻蚀 插入损耗 工作带宽 能量消耗 片上集成 硅薄膜 硅衬底 铜电极 调制 | ||
1.一种基于相变材料的电光调制器，包括SOI基片，其特征在于：所述的SOI基片上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，所述的混合波导从下到上依次由硅波导层、相变材料GST层和铜电极层叠加而成。
2.根据权利要求1所述的一种基于相变材料的电光调制器，其特征在于：所述的SOI基片包括一层厚度为250nm的硅衬底和一层厚度为2um的二氧化硅层，所述的二氧化硅层设置在所述的硅衬底上表面，所述的输入波导、所述的硅波导层和所述的输出波导设置在所述的二氧化硅层的上表面。
3.根据权利要求2所述的一种基于相变材料的电光调制器，其特征在于：所述的输入波导的厚度和所述的输出波导的厚度均为 250nm、宽度均为 400nm。
4.根据权利要求3所述的一种基于相变材料的电光调制器，其特征在于：所述的混合波导的厚度为 290nm，宽度为 400nm，其中上层所述的铜电极层的厚度为10nm，中间所述的相变材料GST层的厚度为 30nm，底层所述的硅波导的厚度为250nm。
5.根据权利要求4所述的一种基于相变材料的电光调制器，其特征在于：所述的硅波导层一侧通过选择性刻蚀形成厚度为10nm的硅薄膜，所述的硅薄膜在与所述的硅波导层经过N型掺杂后作为电极接地。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的一种基于相变材料的电光调制器，其特征在于：所述的电光调制器的总长度为0.5um。
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