[发明专利]晶体管级电路的验证方法、装置、设备及计算机可读存储介质有效
| 申请号： | 201711448571.1 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109977437B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘格言 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 由元;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管级电路的验证方法，首先，建立验证平台，验证平台能够模拟半导体存储器的晶体管级电路功能，之后，输入功能测试信号至晶体管级电路生成第一验证信号，并且输入功能测试信号至验证平台进行仿真，验证平台将第一验证信号和仿真结果进行比较，得到晶体管级电路的验证信息，不仅实现了对晶体管级电路的功能验证，提高了验证效率和准确率，还可以通过得到的验证信息对晶体管级电路进行修改。本发明还提供了一种晶体管级电路的验证装置、晶体管级电路的验证设备以及计算机可读存储介质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 电路 验证 方法 装置 设备 计算机 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管级电路的验证方法，应用于半导体存储器，其特征在于，包括：建立验证平台，用于模拟所述半导体存储器的晶体管级电路的功能；将功能测试信号输入至所述晶体管级电路生成第一验证信号，并将所述第一验证信号提供给所述验证平台；将所述功能测试信号输入至所述验证平台，以对所述功能测试信号进行仿真，并将所述仿真结果与接收的所述第一验证信号进行比较；以及根据比较结果输出验证信息。
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