[发明专利]一种低成本MWT硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低成本MWT硅太阳能电池及其制备方法，低成本MWT硅太阳能电池，包括硅片，设于硅片正面的正面栅线电极，覆于正面栅线电极及硅片正面的减反膜以及设于硅片背面的铝背场，硅片开设有多个贯穿孔，孔内填充有灌孔金属电极，灌孔金属电极的顶部覆盖有正面金属电极，底部设有背面金属电极，正面栅线电极与正面金属电极相连通。制备方法包括：激光打孔；制绒；扩散；掩膜；刻蚀；正电极制备；镀膜；背电极及铝背场制备；烧结。本发明能大幅降低晶硅制备成本。由于正面电极不用穿透氮化硅膜，烧结温度可以降低到700°以下，可以有效降低甚至避免因P型基体硅中的B‑O引起的电性能衰减，且降低能耗。

主权项

一种低成本MWT硅太阳能电池，其特征在于，包括硅片(1)，设于硅片(1)正面的正面栅线电极(2)，覆于正面栅线电极及硅片正面的减反膜(3)以及设于硅片背面的铝背场(4)，硅片开设有多个贯穿孔，孔内填充有灌孔金属电极(5)，灌孔金属电极(5)的顶部覆盖有正面金属电极(6)，底部设有背面金属电极(7)，正面栅线电极(2)与正面金属电极(6)相连通。