[发明专利]一种低成本MWT硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种低成本MWT硅太阳能电池，其特征在于，包括硅片(1)，设于硅片(1)正面的正面栅线电极(2)，覆于正面栅线电极及硅片正面的减反膜(3)以及设于硅片背面的铝背场(4)，硅片开设有多个贯穿孔，孔内填充有灌孔金属电极(5)，灌孔金属电极(5)的顶部覆盖有正面金属电极(6)，底部设有背面金属电极(7)，正面栅线电极(2)与正面金属电极(6)相连通。

2.根据权利要求1所述的低成本MWT硅太阳能电池，其特征在于，减反膜为氮化硅减反膜。

3.根据权利要求1所述的低成本MWT硅太阳能电池，其特征在于，正面栅线电极由非穿透型浆料制备。

4.根据权利要求3所述的低成本MWT硅太阳能电池，其特征在于，所述非穿透型浆料为铜浆或不能穿透减反膜的银浆。

5.根据权利要求1～4任一项所述的低成本MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

(1)激光打孔：通过激光在硅片上制备孔洞；

(2)制绒：在硅片上制绒，形成光陷阱表面；

(3)扩散：使用扩散源在绒面上扩散掺杂形成PN结；

(4)掩膜：在硅片背表面制备起刻蚀掩蔽作用的掩膜；

(5)刻蚀：利用化学药液去除硅片边缘及背面多余的PN结；去除掩膜浆料；去除磷硅玻璃；

(6)正电极制备：在硅片正表面制备正电极；

(7)镀膜：制备减反膜，减反膜覆盖正电极及硅片正表面；

(8)背电极及铝背场制备：在硅片背表面制备背电极及铝背场；

(9)烧结：共烧结形成正面电极欧姆接触及形成背电场。

6.根据权利要求5所述的低成本MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，正电极采用丝网印刷、电镀、化学镀或喷涂的方法进行制备。

7.根据权利要求1所述的低成本MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为500～700℃。