[发明专利]恒流器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201711442368.3 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN108183128A 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 乔明;肖家木;赖春兰;李路;方冬;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/73;H01L27/082
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢;葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种恒流器件及其制造方法,包括元胞区和终端区两个部分,元胞区包括多个结构相同并依次连接的元胞,每个元胞包括P型掺杂衬底、N型外延层、扩散P型阱区,终端区包括槽注入后经热过程推结形成的槽内氧化层,位于N型外延层上表面的厚场氧层,本发明将器件元胞区与边缘缺陷通过槽注入形成PN结的方式相隔离,从而避免了衬底PN结边缘缺陷所导致的反向不耐压问题,本发明恒流器件通过槽注入形成PN结的方式实现终端隔离,如此形成的隔离可靠性高,在施加反向电压时由PN结承受耐压,对槽底及槽侧壁的氧化层质量要求不高。在槽质量高的情况下可以不做槽注入,仅由槽内氧化层耐压。
搜索关键词: 恒流器件 内氧化层 通过槽 元胞区 终端区 衬底 耐压 元胞 隔离 隔离可靠性 边缘缺陷 反向电压 器件元胞 依次连接 槽侧壁 热过程 上表面 氧化层 厚场 推结 氧层 制造 施加 终端 扩散
【主权项】:
1.一种恒流器件,包括元胞区和终端区两个部分,所述元胞区包括多个结构相同并依次连接的元胞,每个元胞包括P型掺杂衬底(2)、N型外延层(3),位于N型外延层(3)之中的扩散P型阱区(4),所述扩散P型阱区(4)为两个并分别位于每个元胞的两端,位于扩散P型阱区(4)之中的第一P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(7),第一P型重掺杂区(5)位于N型重掺杂区(7)的两侧,N型外延层(3)和扩散P型阱区(4)上表面设有氧化层(10),扩散P型阱区(4)上表面与氧化层(10)之间设有N型耗尽型沟道区(6),元胞区还包括覆盖整个元胞上表面的金属阴极(9)、位于P型掺杂衬底(2)下表面的第二P型重掺杂区(51)、位于第二P型重掺杂区(51)下表面的金属阳极(8),所述第一P型重掺杂区(5)、N型重掺杂区(7)和金属阴极(9)形成欧姆接触,所述第二P型重掺杂区(51)和金属阳极(8)形成欧姆接触,其特征在于:所述终端区包括经热过程形成的槽内氧化层(13),位于N型外延层(3)上表面的厚场氧层(11)。
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