[发明专利]恒流器件及其制造方法在审
申请号: | 201711442368.3 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108183128A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 乔明;肖家木;赖春兰;李路;方冬;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/73;H01L27/082 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 恒流器件 内氧化层 通过槽 元胞区 终端区 衬底 耐压 元胞 隔离 隔离可靠性 边缘缺陷 反向电压 器件元胞 依次连接 槽侧壁 热过程 上表面 氧化层 厚场 推结 氧层 制造 施加 终端 扩散 | ||
1.一种恒流器件,包括元胞区和终端区两个部分,所述元胞区包括多个结构相同并依次连接的元胞,每个元胞包括P型掺杂衬底(2)、N型外延层(3),位于N型外延层(3)之中的扩散P型阱区(4),所述扩散P型阱区(4)为两个并分别位于每个元胞的两端,位于扩散P型阱区(4)之中的第一P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(7),第一P型重掺杂区(5)位于N型重掺杂区(7)的两侧,N型外延层(3)和扩散P型阱区(4)上表面设有氧化层(10),扩散P型阱区(4)上表面与氧化层(10)之间设有N型耗尽型沟道区(6),元胞区还包括覆盖整个元胞上表面的金属阴极(9)、位于P型掺杂衬底(2)下表面的第二P型重掺杂区(51)、位于第二P型重掺杂区(51)下表面的金属阳极(8),所述第一P型重掺杂区(5)、N型重掺杂区(7)和金属阴极(9)形成欧姆接触,所述第二P型重掺杂区(51)和金属阳极(8)形成欧姆接触,其特征在于:所述终端区包括经热过程形成的槽内氧化层(13),位于N型外延层(3)上表面的厚场氧层(11)。
2.根据权利要求1所述的恒流器件,其特征在于:所述终端区包括槽注入后经热过程推结在槽的四周围形成的P型掺杂区(21)。
3.根据权利要求1所述的恒流器件,其特征在于:终端区还包括位于元胞区内部边缘的P型掺杂ring区(41),整个器件最外围的扩散P型阱区(4)和P型掺杂ring区(41)连成一体。
4.根据权利要求2所述的恒流器件,其特征在于:终端区还包括位于元胞区内部边缘的P型掺杂ring区(41),整个器件最外围的扩散P型阱区(4)和P型掺杂ring区(41)连成一体。
5.根据权利要求1所述的恒流器件,其特征在于:所述恒流器件中各掺杂类型相应变为相反的掺杂,即P型掺杂变为N型掺杂的同时,N型掺杂变为P型掺杂。
6.权利要求1所述的恒流器件的制造方法,其特征在于:所述恒流器件通过在终端区引入槽,利用槽内氧化层耐压,使得元胞区与器件边缘缺陷通过介质相隔离,实现正向恒流、反向耐高压。
7.权利要求2所述的恒流器件的制造方法,其特征在于:所述恒流器件通过在终端区引入槽,并对槽的四周围进行P型杂质注入形成的P型掺杂区(21),使得元胞区与器件边缘缺陷通过PN结隔离的方式相隔离,实现正向恒流、反向耐高压。
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