[发明专利]氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片及其制作方法

摘要

本发明是一种氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片及其制作方法，其结构包括氮化硅垂直耦合光栅、氮化硅光波导器件和石墨烯探测器；其中氮化硅垂直耦合光栅为光信号输入口，连接氮化硅光波导器件；氮化硅光波导器件对光信号进行处理，连接并将处理后的光信号传输给石墨烯探测器，石墨烯探测器对处理后的光信号进行光电转换。优点：1）通过设计不同结构的氮化硅光波导器件可以实现多种可重构的光信号处理功能；2）石墨烯探测器相比传统的磷化铟基探测器具有更广的光吸收波长范围、更宽的电学带宽；3）器件结构简单，可实现片上单片集成的光信号处理功能单元和芯片。

主权项

1.氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片，其特征是包括氮化硅垂直耦合光栅、氮化硅光波导器件和石墨烯探测器；其中氮化硅垂直耦合光栅为光信号输入口，连接氮化硅光波导器件中的A多模干涉耦合器，氮化硅光波导器件对光信号进行处理，并通过氮化硅光波导器件中的B多模干涉耦合器连接石墨烯探测器，氮化硅光波导器件将处理后的光信号通过B多模干涉耦合器传输至石墨烯探测器，石墨烯探测器对处理后的光信号进行光电转换。