[发明专利]一种功率半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201711432026.3 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962016B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;张泉;戴小平;唐龙谷;罗海辉;谭灿健 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 | 代理人： | 李哲伟;张文娟 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率半导体器件的制备方法，其包括：在衬底中制作场限环和有源区，其中，场限环和有源区具有第二导电类型，有源区设置在场限环所形成的环形内部。相较于现有的功率半导体器件，本发明所提供的功率半导体器件制作方法由于各个场限环的间距之间还可以存在基于间距调整系数的函数关系，因此设计人员在对功率半导体器件进行设计制作时，通过调整场限环结构调节因子(包括环宽调整系数和间距调整系数)，即可快速有效地调节场限环终端结构，从而获得各种具有不同环宽和环间距的终端结构作为NGV‑FLR终端设计的备选方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一、在衬底中制作场限环和有源区，其中，所述场限环和有源区具有第二导电类型，所述有源区设置在所述场限环所形成的环形内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
