[发明专利]一种功率半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤一、在衬底中制作场限环和有源区，其中，所述场限环和有源区具有第二导电类型，所述有源区设置在所述场限环所形成的环形内部，其中，在所述衬底中制作多个场限环，所述多个场限环围绕所述有源区环形分布，

所述多个场限环的环宽具有如下特征：

W_i+1＝W_i-K₁

K₁≥0

或，

W_i+1＝K₂W_i

0K₂≤1

其中，W_i+1和W_i分别表示沿所述有源区向所述场限环延伸方向第i+1个场限环的宽度和第i个场限环的宽度，K₁表示第一环宽调整系数，K₂表示第二环宽调整系数；

所述多个场限环的间距具有如下特征：

G_i+1＝G_i+K₃

K₃≥0

或，

G_i+1＝K₄G_i

K₄≥1

其中，G_i+1表示沿所述有源区向所述场限环延伸方向第i+1个场限环与第i个场限环的间距，G_i表示沿所述有源区向所述场限环延伸方向第i个场限环与第i-1个场限环的间距，K₃表示第一间距调整系数，K₄表示第二间距调整系数；

所述场限环由多个非连续的具有第二导电类型的第一导电部构成，所述第一导电部沿所述场限环的延伸方向间隔分布；或者，

所述场限环由多个非连续的具有第二导电类型的第二导电部构成，所述第二导电部沿所述有源区向所述场限环延伸方向间隔分布；或者，

所述场限环由多个非连续的具有第二导电类型的第三导电部构成，所述第三导电部沿所述场限环的延伸方向间隔分布且沿所述有源区向所述场限环延伸方向间隔分布。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功率半导体器件满足如下电学特性：

S_i＝W_i+G_i

其中，E_cri表示临界电场，K₅表示校正因子，V_b表示击穿电压，S_i表示沿所述有源区向所述场限环延伸方向第i个重复单元的宽度，W_i表示沿所述有源区向所述场限环延伸方向第i个场限环的宽度，G_i表示沿所述有源区向所述场限环延伸方向第i个场限环与第i-1个场限环的间距。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在制作所述场限环和有源区前，还在功率半导体器件的边缘区域所对应的衬底位置处制作沟道截止环。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤二、在所述衬底表面制作钝化层，所述钝化层覆盖所述场限环。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在制作所述钝化层的过程中，先后在所述衬底表面形成多层介质层，从而形成所述钝化层。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤三、在所述有源区表面制作第一电极，所述第一电极与所述有源区电连接。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤四、在所述衬底的背面制作具有第一导电类型的缓冲层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤四中，在制作缓冲层前，还在所述衬底的背面对所述衬底进行减薄处理。