[发明专利]图像传感器有效
| 申请号: | 201711430935.3 | 申请日: | 2017-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN108269813B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
| 发明(设计)人: | 李贵德;李泰渊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种图像传感器可包括衬底,其包括多个单元像素区并且具有彼此面对的第一表面和第二表面。单元像素区中的每一个可包括:在衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件;存储节点,它们设置在衬底中并且与浮置扩散部件间隔开,并且面对浮置扩散部件;转移栅极,其邻近于浮置扩散部件与存储节点之间的区;以及光电转换部件,它们按次序堆叠在第一表面和第二表面之一上。光电转换部件中的每一个可包括分别设置在其顶表面和底表面上的公共电极和像素电极,并且各个像素电极可电连接至对应的一个存储节点。 | ||
| 搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:包括多个单元像素区的衬底,所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面,其中,所述多个单元像素区中的每一个包括:在所述衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件;多个存储节点,所述多个存储节点设置在所述衬底中并且与所述浮置扩散部件间隔开,其中,所述多个存储节点中的每一个面对对应的一个浮置扩散部件;转移栅极,其邻近于所述浮置扩散部件与所述存储节点之间的区;以及多个光电转换部件,所述多个光电转换部件按次序堆叠在所述第一表面和所述第二表面之一上,其中,所述多个光电转换部件中的每一个包括公共电极和像素电极,所述公共电极设置在对应的光电转换部件的顶表面,所述像素电极设置在对应的光电转换部件的底表面,并且电连接至对应的一个存储节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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