[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

包括多个单元像素区的衬底，所述衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，

其中，所述多个单元像素区中的每一个包括：

在所述衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件；

多个存储节点，所述多个存储节点设置在所述衬底中并且与所述浮置扩散部件间隔开，其中，所述多个存储节点中的每一个面对对应的一个浮置扩散部件；

单个转移栅极，其邻近于所述多个浮置扩散部件与所述多个存储节点之间的区；以及

多个光电转换部件，所述多个光电转换部件按次序堆叠在所述第一表面和所述第二表面之一上，其中，所述多个光电转换部件中的每一个包括公共电极和像素电极，

所述公共电极设置在对应的光电转换部件的顶表面，

所述像素电极设置在对应的光电转换部件的底表面，并且电连接至对应的一个存储节点，

其中，在每个单元像素区中，所述多个光电转换部件检测不同波长的光并产生对应于不同波长的光的电荷，所述电荷累积在所述多个存储节点中，并且通过所述单个转移栅极将累积在所述多个存储节点中的电荷转移至所述多个浮置扩散部件。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个光电转换部件中的每一个还包括介于所述公共电极和所述像素电极之间的第一光电转换层，并且

所述第一光电转换层包括量子点或者光活性有机材料。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个光电转换部件中的每一个包括光电转换层，所述光电转换层吸收不同波长的光并且从吸收的光中产生电荷。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述浮置扩散部件和所述存储节点中的每一个是形成在所述衬底中的杂质区或者掺杂的半导体图案。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个单元像素区中的每一个还包括：

多个沟道区，所述多个沟道区分别设置在所述浮置扩散部件与所述存储节点之间；以及

介于所述多个沟道区之间的至少一个分离部件。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述至少一个分离部件是绝缘层、杂质区或者被掺杂以具有与所述浮置扩散部件的导电类型不同的导电类型的半导体图案。

7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述至少一个分离部件延伸至邻近的浮置扩散部件之间的间隙和邻近的存储节点之间的间隙中的至少一个间隙中。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述公共电极在所述多个单元像素区中的每一个中位于相同水平，并且实质上覆盖全部的所述第一表面或所述第二表面，并且

所述像素电极在所述多个单元像素区中的每一个中位于相同水平并且彼此分离。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述浮置扩散部件邻近于所述第一表面，

所述存储节点邻近于所述第二表面，并且

所述光电转换部件堆叠在所述第二表面上。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述转移栅极具有面对所述多个浮置扩散部件中的每一个的相对侧部的‘C’形结构。

11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述转移栅极具有面对所述多个浮置扩散部件中的每一个的三个侧表面的梳形结构。

12.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述转移栅极具有包围所述多个浮置扩散部件中的每一个的四个侧部的梯子形结构。