[发明专利]用于改善铜线短路的制程工艺有效
| 申请号： | 201711409038.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109962015B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡长益 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于铜金属线制程领域，具体涉及用于改善铜线短路的制程工艺，采用研磨液对第一氧化层进行第一次化学机械研磨，所述研磨液包括研磨粒子，所述研磨粒子具有胶体态，所述研磨粒子在所述研磨液中的磨料固态含量介于0.17～0.5％体积百分比；在第一次化学机械研磨后，以清洗液清洁所述第一氧化层的第一次化学机械研磨后表面；进行第一次金属沉积，沉积第一金属层于所述第一氧化层的第一次化学机械研磨后表面上，通过改变研磨液特性，变更清洁液种类来改善氧化层刮伤缺陷，以利金属层的平坦沉积。在更具体的实施例中，后续的钨金属化学机械研磨与铜金属化学机械研磨采用研磨液也能进一步修补前程的刮伤缺陷，有效改善铜金属线短路情况。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 铜线 短路 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于改善铜线短路的制程工艺，其特征在于，包括，采用研磨液对第一氧化层进行第一次化学机械研磨，所述研磨液包括研磨粒子，所述研磨粒子具有胶体态，所述研磨粒子在所述研磨液中的磨料固态含量介于0.17～0.5％体积百分比；在第一次化学机械研磨后，以清洗液清洁所述第一氧化层的第一次化学机械研磨后表面；及，进行第一次金属沉积，沉积第一金属层于所述第一氧化层的第一次化学机械研磨后表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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